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装死（d）低阻状态下的自旋轴分布示意图。（d）两种模式下交换耦合参数J和畸变参数bl/bs，成电其中bl表示Mn3+离子与氧的键长，bs表示Mn3+离子与氧的键短。

每天名梗图六（a）低于360K的Mn3Pt的晶体和非共线三角形磁性结构。另一方面，装死零场反铁磁共振频率可以高达太赫兹（THz）。3.3、成电电场控制的反铁磁人工神经元器件人脑基于神经元和突触来传递和处理信息，这与传统的CMOS逻辑器件有很大的不同。

与铁磁体相比，每天名梗反铁磁性材料具有更快的自旋动力学特性和对杂散磁场的低灵敏度，这使其成为自旋电子存储器件的理想选择。由于已经有成功演示的控制反铁磁自旋轴的方法发展，装死反铁磁性的电场控制由于其低耗能的独特优势而受到越来越多的关注。

成电（c）两种极化状态下的磁电阻与温度的关系。

（b,d）当Ru的厚度为0.92nm时，每天名梗电压对Ruderman–Kittel–Kasuya–Yosida相互作用的调制。小米集团参谋长潘九堂称张峰为小米的救火队长，装死卢伟冰也在社交平台上对张峰的离职表示了祝福。

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